目的：考察中性硼硅玻璃安瓿中铝（Al）、硅（Si）、硼（B）元素的迁移量与内表面脱片趋势的关系。方法：采用亚甲基蓝染色及扫描电子显微镜（scanning electron microscope，SEM）法观察中性硼硅玻璃安瓿被侵蚀液侵蚀后的脱片情况，并通过电感耦合等离子体发射光谱（inductively coupled plasma optical emission spectrometer，ICP-OES）法测定不同侵蚀时间的中性硼硅玻璃安瓿中Al、Si、B元素的迁移量，根据迁移量的变化及脱片的趋势确定二者之间的关系。结果：电感耦合等离子体发射光谱法测定的3种元素质量浓度在0.2~10.0 mg·L^-1范围内线性关系良好，相关系数为0.999 4~0.999 9；回收率为88.2%~100.5%；3种元素检测下限分别为0.001 5 μg·mL^-1（Al）、0.002 9 μg·mL^-1（Si）、0.020 5 μg·mL^-1（B）。随着时间增加，Al、Si、B的迁移量不断增大，对应时间点的脱片情况也不断加剧，二者呈同向变化关系。结论：可通过ICP-OES检测药物溶液中Al、Si、B的含量来推断包装液体药物的中性硼硅玻璃安瓿内表面的脱片情况。